据前人Gupta的研究，推进团Cl2转化为HCl的反应速率可达0.41× 10-6 molcm-2 s-1。
而CVD生长可通过调节生长化学过程更好地控制杂质的掺入，分布伏领并通过各种工艺方法，从而能够提供适用于金刚石光电应用的高质量大尺寸单晶金刚石。所以，式光为实现大规模集成电路制造，高质量、大尺寸的金刚石单晶衬底的生长是至关重要的。
本内容为作者独立观点，域合不代表材料人网立场。金刚石接合型成场效应管、作长战略肖特基势垒二极管和MOSFET等即使在高温下也可以具有相当高的电学性能[2]。金刚石肖特基势垒二极管（SBD）与结构示意图金刚石功率器件可大大提高，江环尤其是在高温下功率转换器的性能。
金属铱Ir是目前唯一可实现高质量、保集大尺寸金刚石薄膜异质外延的衬底材料，但对于大多数应用而言，缺陷密度仍然很高。由于晶界散射和杂质耦合的影响，科技多晶金刚石波导的传播损耗将更高，而多晶金刚石中的晶界将导致单光子源信号的背景噪声更高。
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